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MIYM-S手持式絕緣子鹽密度測(cè)試儀
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MIYM-S手持式絕緣子鹽密度測(cè)試儀
MIYM-S手持式絕緣子鹽密度測(cè)試儀為便攜式檢測(cè)設(shè)備,主要用于檢測(cè)電力線路中絕緣子的污穢附著情況。該儀器可測(cè)量絕緣子鹽密度,本設(shè)備簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程,非常適合巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度可以通過鹽密度(ESDD)來表征。本設(shè)備內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號(hào),方便用戶直接調(diào)用,絕緣子型號(hào)與表面積支持用戶自定義。增加數(shù)據(jù)保存功能,可保存1000組測(cè)試數(shù)據(jù),本機(jī)查看數(shù)據(jù),支持U盤導(dǎo)出數(shù)據(jù),導(dǎo)出數(shù)據(jù)可以EXECL打開,方便用戶在計(jì)算機(jī)上查看。具備藍(lán)牙打印功能,通過連接外置藍(lán)牙打印機(jī)可將測(cè)量結(jié)果打印出。用戶在30分鐘后無使用自動(dòng)關(guān)機(jī)。
檢測(cè)儀各部分組成如圖2.1所示,各部分功能如下:
主機(jī):圖1.1為測(cè)量顯示主機(jī)。主機(jī)上包含開機(jī)按鍵、充電孔、和USB接口以及鹽密灰密傳感器接口。
電極傳感器:圖2.1為雙極性-鉑金電極。
項(xiàng)目 | 范圍 |
電導(dǎo)率測(cè)試范圍 | 0—200000uS/cm |
鹽密度測(cè)試范圍 | 0—9.9999mg/cm2 |
電導(dǎo)率誤差范圍 | ±2%FS |
鹽密度誤差范圍 | ±2%FS |
溫度測(cè)量范圍 | 0-99.9℃ |
溫度誤差范圍 | ±0.5℃ |
顯示屏 | 7寸高清觸摸屏 |
電源電壓 | 12.6V |
電池容量 | 3000mAh |
環(huán)境溫度 | 0—60℃ |
環(huán)境濕度 | ≤90% |
主機(jī)外形尺寸 | 230*155*60mm |
主機(jī)凈重量 | ≈0.8kg |
相關(guān)術(shù)語:
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的最短距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為最高相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上氯化鈉總量除以表面積,mg/cm2。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm2。
6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm2。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
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